日本從 1963 年開始,用了 22 年的時間,舉全國之力發展的半導體產業,卻被美國用了 10 年擊垮。然而憑借非實力因素贏下此次戰役的美國,也似乎沒那么光彩。

 

 

珍惜這日美同盟時刻吧

 

1945 年,日本宣布無條件投降,日本喪失了明治維新后所取得的全部擴張果實,工業基礎也被摧毀大半。

 

雖然美國對扶持日本工業并沒有太大興趣,但為了能夠更好的牽制蘇聯,美國決定加強對日本的控制,同時給予日本大量技術和經濟上的扶持。

 

戰敗后的日本并沒有太多選擇,在蘇聯和美國中,日本選擇了親美,于是日美同盟就誕生了。

 

 

日本人口增長大潮帶來的人口紅利加上美國的技術扶持,使得日本高科技行業迅猛發展。我們所熟知的東芝、三菱、松下、索尼、NEC、夏普等企業,都是在這個時間段建立起來的。

 

 

1960 年仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯團隊發明了集成電路,是有史以來最重要電子器件集成電路的發明者之一,集成電路技術的誕生也代表著美國的技術領先日本一個時代。

 

 

縱向產業鏈讓日本份額攀升

 

在 20 世紀 70 年代,石油危機爆發,歐美經濟停滯,電腦需求放緩,影響了整個半導體行業。此時的日本政府舉國之力,扶植科技財閥,讓本國電子產業迅速崛起,美國的科技霸權終遇勁敵。

 

松下、日立、索尼等知名電子廠商,以質優價廉的電子產品,控制了日本國內 90%的電子市場,而且在國際市場上的份額不斷上升。

 

日本各大電子廠商都有自己的完整的縱向產業鏈,確保了研發、生產、銷售的獨立自主,而不會依賴于美國的電子產業,不受美國電子產業的支配,這對美國的電子產業構成了挑戰。

 

由日本政府出資 320 億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資 400 億日元。總計投入 720 億日元為基金,由日本電子綜合研究所,和計算機綜合研究所牽頭,設立國家性科研機構“VLSI 技術研究所”。

日立領頭組織 800 多名技術精英,共同研制國產高性能 DRAM 制程設備,目標是近期突破 64K DRAM 和 256K DRAM 的實用化,遠期在 10-20 年內,實現 1M DRAM 的實用化。

 

為了徹底擺脫美國的影響,實現從原料、設備到制造的全部自產自研,讓日本半導體行業追趕甚至超越美國,所以日本舉全國之力研發 DRAM。

 

以 DRAM 為入口,依托于汽車和 PC 產業的繁榮,日本 DRAM 產業獲得了飛速發展,推動日本半導體走向了巔峰。

 

 

硅谷模式反造成終端衰弱

 

美國電子產業終端產品市場的衰弱,同時就是電子產業鏈里面所有環節市場的衰弱。其中,遭受打擊最大的就是芯片商,價廉質優的日本芯片在世界市場上與美國芯片逐鹿,后者陷入被日本廠家取而代之的困境。

 

美國的科技公司敗在了模式上,硅谷的發展模式是通過風險投資為創業公司注入資金,創業公司獲得資金支持后,進行持續的技術創新獲得市場,提升公司估值,然后上市,風險資本賣出股票獲利退出。

 

 

這種模式以市場為導向,效率高,但體量小,公司之間整合資源難,畢竟大家都是一口鍋里搶飯吃的競爭對手。

 

 

美國的噩夢開始了,1980 年日本攻下 30%的半導體內存市場,5 年后,日本的份額超過 50%,美國被甩在后面。

 

1985 年是第一個轉折點,日本第一次在市場占有率方面超越美國,成為全球最大半導體生產國,日本最高的時候 DRAM 坐擁全球 80%市場。這是半導體產業的第一次轉移,由美國到日本,日本成為了新的全球半導體龍頭。

 

 

美國靠政治手腕開始的反擊

 

1985 年 6 月,美國半導體協會向美國貿易代表辦公室就日本電子產品的傾銷提起了訴訟,矛頭直指日本政府。鑒于對外國芯片業的依賴對美國安全的潛在威脅,美國國防部和中央情報局支持這個起訴。

 

1986 年春,日本被認定只讀存儲器傾銷;同年 9 月,《美日半導體協議》簽署,日本被要求開放半導體市場,保證 5 年內國外公司獲得 20%市場份額;不久,對日本出口的 3 億美元芯片征收 100%懲罰性關稅,并否決富士通收購仙童半導體公司。

 

美國人這一波操作至少開創了兩個記錄:第一次對盟友的經濟利益進行全球打擊;第一次以國家安全為由,將貿易爭端從經濟學變成政治經濟學問題。

 

《美日半導體協定》簽訂后,所有日本半導體企業都在琢磨,如何用更低的價格,做出更高質量的產品,以便和強行插入國內市場的美國半導體企業競爭。

 

這份《美日半導體協議》的主要內容是:限制日本半導體對美出口數量、對第三方的出口價格,以及強制擴大美國半導體在日本的市場份額。

 

 

這還不算完,1987 年 3 月,里根政府鑒于日本沒有執行 1986 年的協議,決定對日本進行高達 3 億美元的進口限制,限制包括日本產的電視、計算機、電動工具及其他產品。

 

美國政府宣布,進口限制將一直持續到日本完全遵守 1986 年條約為止,美國的這種進口限制一直持續到 1991 年。

 

美國通過 301 起訴,換來了 1986 年的條約;通過進口限制,推動條約的實施。連環戰術的背后,是日本經濟對美國市場的依賴。

 

1989 年再次和日本簽訂了不平等條約《日美半導體保障協定》,開放日本半導體產業的知識產權、專利。1991 年,日本的統計口徑美國已經占到 22%,但是美國仍舊認為是 20%以下,美國再次強迫日本簽訂了第二次半導體協議。

 

貿易摩擦給日本電子制造業造成了兩層分化,終端產品萎縮,零部件與設備占比提升;半導體領域 DRAM 開始衰敗,設備與材料興起。除了終端電子產品之外,日本半導體領域也同樣出現分化趨勢。

 

 

扶持韓國對抗日本

 

當時在半導體行業發展程度還比較低的韓國企業在美國的扶持下迅速發展,美國不僅對韓國授權技術,還指導韓國獲得了東芝生產線,并且瘋狂挖日本企業的人才。

 

由此,韓國在閃存半導體領域開始壯大。1990 年 8 月,三星正式成為世界上第三個擁有 16M DRAM 內存芯片的企業。

 

美國還對韓日發動反傾銷,對日本企業征收了 100%的反傾銷稅,而對韓國只征收 0.74%,在美國的幫助下,韓國的半導體產業迅速崛起,和美日呈三足鼎立之勢。

 

1995 年,在經歷了 10 年的抗爭之后,日本最終還是繳械投降,這是日本半導體產業最后的余暉,世界半導體企業前十中,NEC(第一)、東芝(第二)、日立制作所(第三)、富士通(第八)、三菱電機(第九)。

 

 

1996 年,盡管當時的美國已經在日本的半導體市場份額占到了 30%左右,在全球市場份額也在 30%以上,而日本已經不足 30%,但美國還是想將日本吃干榨凈,想要簽訂第三次不平等半導體條約。

 

這次在日本政府的斡旋下,最終沒有成功,但是日本半導體產業早已元氣大傷,韓國已經取代了日本成為了全球半導體產業中心。

 

結尾:美國對中國實行的不同階段打擊


第一階段是 20 年前,中國資訊科技產業起飛,但中國未能生產芯片,美國限制芯片供應,左右中國發展;

 

第二階段 2000 年中芯國際成立,中國開始規模生產芯片,美國則限制芯片制程,干預中國前進;

 

第三階段,華為的海思半導體從無到有,自主設計芯片作為備胎,化解了美國去年《實體清單》出口管制,結果美國采取釜底抽薪,抽起中國半導體的全部供應鏈。

 

但我國當前雖有貿易摩擦,但基本卡位了科技創新的每一波潮流,而在這之前日本公司的一些經驗教訓也值得我們學習。