與非網 3 月 3 日訊,近日,中國電科(山西)碳化硅材料產業基地以視頻方式舉行了投產儀式。

 

此次投產的基地將建成國內最大的碳化硅(SiC)材料供應基地,一期項目于 2019 年 4 月 1 日開工建設,同年 9 月 26 日封頂。

 

 

中國電科(山西)碳化硅產業基地一期項目建筑面積 2.7 萬平方米,能容納 600 臺碳化硅單晶生產爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力,可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產能,將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面,實現完全自主可供。項目投產后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產企業,可實現年產值 10 億元。

 

中國電科(山西)電子信息科技創新產業園項目包括“一個中心、三個基地”。“一個中心”即中國電科(山西)三代半導體技術創新中心、“三個基地”即中國電科(山西)碳化硅材料產業基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產業基地、中國電科(山西)能源產業基地。

 

項目達產后,預計形成產值 100 億元。通過吸引上游企業,形成產業聚集效應,打造電子裝備制造、三代半導體產業生態鏈,建成國內最大的碳化硅材料供應基地,積極推動山西經濟的轉型升級。

 

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出,中國電科(山西)電子信息科技創新產業園是中國電科圍繞半導體材料、裝備制造產業領域在晉的戰略布局。

 

由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率,碳化硅材料在眾多戰略行業具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

 

自 2007 年,中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃,依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢,潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。

 

目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線,在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。